CSD17573Q5BT
참조 용
| 부품 번호 | CSD17573Q5BT |
| PNEDA 부품 번호 | CSD17573Q5BT |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 116,694 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CSD17573Q5BT 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD17573Q5BT |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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CSD17573Q5BT 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 64nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9000pF @ 15V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3.2W (Ta), 195W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 240mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 54nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1060pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 150W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 70mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 259nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7015pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 290W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 SOT-227 패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 44mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 71nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1960pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 130W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
