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CSD18531Q5A

CSD18531Q5A

참조 용

부품 번호 CSD18531Q5A
PNEDA 부품 번호 CSD18531Q5A
설명 MOSFET N-CH 60V 8SON
제조업체 Texas Instruments
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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CSD18531Q5A 리소스

브랜드 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CSD18531Q5A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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CSD18531Q5A 사양

제조업체
시리즈NexFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)19A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.6mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs43nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3840pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.1W (Ta), 156W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스8-PowerTDFN

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.2V, 2.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 2.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

25pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

VMT3

패키지 / 케이스

SOT-723

HAT2185WPWS-E

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

430pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

20W (Tc)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-WPAK

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

IPD50N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 17µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

+20V, -16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2340pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

46W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3-313

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF1324LPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

24V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

195A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.65mOhm @ 195A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

240nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7590pF @ 24V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-262

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

2SK3746-1E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

37.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

380pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 110W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P-3L

패키지 / 케이스

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