CSD22205LT
참조 용
| 부품 번호 | CSD22205LT |
| PNEDA 부품 번호 | CSD22205LT |
| 설명 | MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 14,580 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 16 - 3월 21 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CSD22205LT 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD22205LT |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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CSD22205LT 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 8V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7.4A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9.9mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.05V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | -6V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1390pF @ 4V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 600mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 4-PICOSTAR |
| 패키지 / 케이스 | 4-XFLGA |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 165mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 41nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 910pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3W (Ta), 140W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 135mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.4nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 310pF @ 10V FET 기능 Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대) 1.25W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TSMT5 패키지 / 케이스 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
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