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CSD83325L

CSD83325L

참조 용

부품 번호 CSD83325L
PNEDA 부품 번호 CSD83325L
설명 MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
제조업체 Texas Instruments
단가 견적 요청
재고 있음 6,030
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CSD83325L 리소스

브랜드 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CSD83325L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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CSD83325L 사양

제조업체
시리즈NexFET™
FET 유형2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대2.3W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-XFBGA
공급자 장치 패키지6-PicoStar

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 15V

전력-최대

960mW

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

BSL215CH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 3.7µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.73nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

143pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

PG-TSOP-6-6

BSG0811NDATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate, 4.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A, 41A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 12V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

PG-TISON-8

FW217A-TL-2W

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 4.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

35V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

39mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

470pF @ 20V

전력-최대

2.2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

APTM10DSKM19T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

200nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5100pF @ 25V

전력-최대

208W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

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