CSD87355Q5DT
참조 용
| 부품 번호 | CSD87355Q5DT |
| PNEDA 부품 번호 | CSD87355Q5DT |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,768 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 30 - 4월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CSD87355Q5DT 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD87355Q5DT |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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CSD87355Q5DT 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 5V Drive |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 45A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.9V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 13.7nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1860pF @ 15V |
| 전력-최대 | 2.8W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerLDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-LSON (5x6) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs 13.7mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 39nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2890pF @ 25V 전력-최대 50W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 PG-TDSON-8-4 |
제조업체 시리즈 NexFET™ FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Logic Level Gate, 5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 40A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V 전력-최대 12W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-VSON-CLIP (5x6) |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 27A, 80A Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 47nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6100pF @ 15V 전력-최대 29W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-HSOP |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.2nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.15W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 500mA, 330mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 630mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.23nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 46pF @ 10V 전력-최대 150mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 ES6 (1.6x1.6) |
