CSD87588N
참조 용
| 부품 번호 | CSD87588N | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | CSD87588N | ||||||||||||||||||
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Texas Instruments | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 2,643 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 4월 18 - 4월 23 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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CSD87588N 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD87588N |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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CSD87588N 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 25A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.9V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.1nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 736pF @ 15V |
| 전력-최대 | 6W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 5-XFLGA |
| 공급자 장치 패키지 | 5-PTAB (3x2.5) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 300mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 600mOhm @ 300mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 150mW 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 공급자 장치 패키지 EMT5 |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.7V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9.1pF @ 3V 전력-최대 150mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 ES6 (1.6x1.6) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 70nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 3.6W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.8A, 8.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 21.8mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.25V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 600pF @ 15V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
