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CTLDM7120-M832DS TR

CTLDM7120-M832DS TR

참조 용

부품 번호 CTLDM7120-M832DS TR
PNEDA 부품 번호 CTLDM7120-M832DS-TR
설명 MOSFET 2N-CH 20V 1A
제조업체 Central Semiconductor Corp
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CTLDM7120-M832DS TR 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CTLDM7120-M832DS TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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CTLDM7120-M832DS TR 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs100mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds220pF @ 10V
전력-최대1.65W
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지TLM832DS

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20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

670mA, 530mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 16V

전력-최대

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A (Ta), 3.2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

369pF @ 10V, 440pF @ 10V

전력-최대

700mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

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NDS9959

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ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 25V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

DMC1229UFDB-13

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.6A, 3.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.6nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

914pF @ 6V

전력-최대

1.4W

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 5V

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