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CURB207-G

CURB207-G

참조 용

부품 번호 CURB207-G
PNEDA 부품 번호 CURB207-G
설명 DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
제조업체 Comchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 826,878
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CURB207-G 리소스

브랜드 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CURB207-G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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CURB207-G 사양

제조업체Comchip Technology
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1000V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.7V @ 2A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)75ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AA, SMB
공급자 장치 패키지DO-214AA (SMB)
작동 온도-접합150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 50mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 25V

커패시턴스 @ Vr, F

7pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

작동 온도-접합

125°C (Max)

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제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

300A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 300A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

800ns

전류-역방향 누설 @ Vr

40mA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

작동 온도-접합

-

SX110S040A6OB-01

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

STTH810GY-TR

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

85ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

D²PAK

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제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

35A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 35A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

100pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SRA

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