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CUS10I40A(TE85L,QM

CUS10I40A(TE85L,QM

참조 용

부품 번호 CUS10I40A(TE85L,QM
PNEDA 부품 번호 CUS10I40A-TE85L-QM
설명 DIODE SCHOTTKY 40V 1A US-FLAT
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 2,916
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 22 - 11월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CUS10I40A(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CUS10I40A(TE85L,QM
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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CUS10I40A(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)40V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If490mV @ 700mA
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr60µA @ 40V
커패시턴스 @ Vr, F35pF @ 10V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지US-FLAT (1.25x2.5)
작동 온도-접합150°C (Max)

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ON Semiconductor

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

250V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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작동 온도-접합

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

120pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123W

공급자 장치 패키지

SOD-123FA

작동 온도-접합

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Q Automotive

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2V @ 60A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

115ns

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

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제조업체

ON Semiconductor

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-

다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

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