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CY14B101K-SP45XI

CY14B101K-SP45XI

참조 용

부품 번호 CY14B101K-SP45XI
PNEDA 부품 번호 CY14B101K-SP45XI
설명 IC NVSRAM 1M PARALLEL 48SSOP
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY14B101K-SP45XI 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY14B101K-SP45XI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY14B101K-SP45XI, CY14B101K-SP45XI 데이터 시트 (총 페이지: 29, 크기: 1,768.25 KB)
PDFCY14B101K-SP25XI 데이터 시트 표지
CY14B101K-SP25XI 데이터 시트 페이지 2 CY14B101K-SP25XI 데이터 시트 페이지 3 CY14B101K-SP25XI 데이터 시트 페이지 4 CY14B101K-SP25XI 데이터 시트 페이지 5 CY14B101K-SP25XI 데이터 시트 페이지 6 CY14B101K-SP25XI 데이터 시트 페이지 7 CY14B101K-SP25XI 데이터 시트 페이지 8 CY14B101K-SP25XI 데이터 시트 페이지 9 CY14B101K-SP25XI 데이터 시트 페이지 10 CY14B101K-SP25XI 데이터 시트 페이지 11

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CY14B101K-SP45XI 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷NVSRAM
기술NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지45ns
접근 시간45ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지48-SSOP

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

120ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Winbond Electronics

시리즈

SpiFlash®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-TFBGA (6x8)

IS42VM32800K-75BLI

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile

메모리 크기

256Mb (8M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-TFBGA (8x13)

W29N01GZDIBA

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND (SLC)

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

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