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CY7C09089V-6AXC

CY7C09089V-6AXC

참조 용

부품 번호 CY7C09089V-6AXC
PNEDA 부품 번호 CY7C09089V-6AXC
설명 IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,410
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 16 - 3월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C09089V-6AXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C09089V-6AXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C09089V-6AXC, CY7C09089V-6AXC 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 592.51 KB)
PDFCY7C09089V-12AXI 데이터 시트 표지
CY7C09089V-12AXI 데이터 시트 페이지 2 CY7C09089V-12AXI 데이터 시트 페이지 3 CY7C09089V-12AXI 데이터 시트 페이지 4 CY7C09089V-12AXI 데이터 시트 페이지 5 CY7C09089V-12AXI 데이터 시트 페이지 6 CY7C09089V-12AXI 데이터 시트 페이지 7 CY7C09089V-12AXI 데이터 시트 페이지 8 CY7C09089V-12AXI 데이터 시트 페이지 9 CY7C09089V-12AXI 데이터 시트 페이지 10 CY7C09089V-12AXI 데이터 시트 페이지 11

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CY7C09089V-6AXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Dual Port, Synchronous
메모리 크기512Kb (64K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간6.5ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스100-LQFP
공급자 장치 패키지100-TQFP (14x14)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

70T3799MS166BBG

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제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

9Mb (128K x 72)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.6ns

전압-공급

2.4V ~ 2.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

324-BGA

공급자 장치 패키지

324-PBGA (19x19)

AS7C256A-10TCN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

28-TSOP I

MT41J128M16HA-15E:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

13.5ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (9x14)

MT41J128M16HA-125 IT:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

13.75ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

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