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CY7C1020B-12ZXC

CY7C1020B-12ZXC

참조 용

부품 번호 CY7C1020B-12ZXC
PNEDA 부품 번호 CY7C1020B-12ZXC
설명 IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1020B-12ZXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1020B-12ZXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1020B-12ZXC, CY7C1020B-12ZXC 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 507.91 KB)
PDFCY7C1020B-15ZXCT 데이터 시트 표지
CY7C1020B-15ZXCT 데이터 시트 페이지 2 CY7C1020B-15ZXCT 데이터 시트 페이지 3 CY7C1020B-15ZXCT 데이터 시트 페이지 4 CY7C1020B-15ZXCT 데이터 시트 페이지 5 CY7C1020B-15ZXCT 데이터 시트 페이지 6 CY7C1020B-15ZXCT 데이터 시트 페이지 7 CY7C1020B-15ZXCT 데이터 시트 페이지 8 CY7C1020B-15ZXCT 데이터 시트 페이지 9

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  • CY7C1020B-12ZXC Distributor

CY7C1020B-12ZXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기512Kb (32K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지12ns
접근 시간12ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지44-TSOP II

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Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR IV

메모리 크기

72Mb (2M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.26V ~ 1.34V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

361-BBGA, FCBGA

공급자 장치 패키지

361-FCBGA (21x21)

24AA01SC-I/W16K

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

7132LA25JGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

52-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

52-PLCC (19.13x19.13)

CY7C1420BV18-250BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

36Mb (1M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (15x17)

S25FL116K0XMFI043

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL1-K

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-SOIC

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