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CY7C1021B-15ZXET

CY7C1021B-15ZXET

참조 용

부품 번호 CY7C1021B-15ZXET
PNEDA 부품 번호 CY7C1021B-15ZXET
설명 IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1021B-15ZXET 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1021B-15ZXET
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1021B-15ZXET, CY7C1021B-15ZXET 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 321.54 KB)
PDFCY7C1021BL-15ZXIT 데이터 시트 표지
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CY7C1021B-15ZXET 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간15ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지44-TSOP II

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제조업체

STMicroelectronics

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

S29GL01GT11DHB020

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

7142LA55CB

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

48-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

48-SIDE BRAZED

R1RP0408DGE-0PI#B0

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

36-SOJ

M39L0R8090U3ZE6F TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH - NOR, Mobile LPDDR SDRAM

메모리 크기

256Mb (16M x 16), 512M (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

70ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

133-VFBGA

공급자 장치 패키지

133-VFBGA (8x8)

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