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CY7C1021BN-15VXIT

CY7C1021BN-15VXIT

참조 용

부품 번호 CY7C1021BN-15VXIT
PNEDA 부품 번호 CY7C1021BN-15VXIT
설명 IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 26 - 12월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1021BN-15VXIT 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1021BN-15VXIT
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1021BN-15VXIT, CY7C1021BN-15VXIT 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 474.42 KB)
PDFCY7C10211BN-10ZXCT 데이터 시트 표지
CY7C10211BN-10ZXCT 데이터 시트 페이지 2 CY7C10211BN-10ZXCT 데이터 시트 페이지 3 CY7C10211BN-10ZXCT 데이터 시트 페이지 4 CY7C10211BN-10ZXCT 데이터 시트 페이지 5 CY7C10211BN-10ZXCT 데이터 시트 페이지 6 CY7C10211BN-10ZXCT 데이터 시트 페이지 7 CY7C10211BN-10ZXCT 데이터 시트 페이지 8 CY7C10211BN-10ZXCT 데이터 시트 페이지 9 CY7C10211BN-10ZXCT 데이터 시트 페이지 10

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CY7C1021BN-15VXIT 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간15ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지44-SOJ

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-VFBGA (9x11)

IS42S32400D-7BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

128Mb (4M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-TFBGA (8x13)

IS46LD32320A-3BPLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

메모리 크기

1Gb (32M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

168-VFBGA

공급자 장치 패키지

168-VFBGA (12x12)

7026L25GB

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

256Kb (16K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

84-BPGA

공급자 장치 패키지

84-PGA (27.94x27.94)

CY7C1041CV33-12ZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

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