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CY7C1021BNV33L-10ZXC

CY7C1021BNV33L-10ZXC

참조 용

부품 번호 CY7C1021BNV33L-10ZXC
PNEDA 부품 번호 CY7C1021BNV33L-10ZXC
설명 IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,862
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 13 - 3월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1021BNV33L-10ZXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1021BNV33L-10ZXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1021BNV33L-10ZXC, CY7C1021BNV33L-10ZXC 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 534.14 KB)
PDFCY7C1021BNV33L-15ZXCT 데이터 시트 표지
CY7C1021BNV33L-15ZXCT 데이터 시트 페이지 2 CY7C1021BNV33L-15ZXCT 데이터 시트 페이지 3 CY7C1021BNV33L-15ZXCT 데이터 시트 페이지 4 CY7C1021BNV33L-15ZXCT 데이터 시트 페이지 5 CY7C1021BNV33L-15ZXCT 데이터 시트 페이지 6 CY7C1021BNV33L-15ZXCT 데이터 시트 페이지 7 CY7C1021BNV33L-15ZXCT 데이터 시트 페이지 8 CY7C1021BNV33L-15ZXCT 데이터 시트 페이지 9 CY7C1021BNV33L-15ZXCT 데이터 시트 페이지 10

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CY7C1021BNV33L-10ZXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지10ns
접근 시간10ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지44-TSOP II

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제조업체

SkyHigh Memory Limited

시리즈

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메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IS61NLF102418-6.5TQ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

STK14CA8-RF25ITR

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

48-SSOP

AT25128N1-10SI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

W632GG8NB-12

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-VFBGA

공급자 장치 패키지

78-VFBGA (8x10.5)

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