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CY7C12501KV18-400BZXC

CY7C12501KV18-400BZXC

참조 용

부품 번호 CY7C12501KV18-400BZXC
PNEDA 부품 번호 CY7C12501KV18-400BZXC
설명 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,946
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 28 - 2월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C12501KV18-400BZXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C12501KV18-400BZXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C12501KV18-400BZXC, CY7C12501KV18-400BZXC 데이터 시트 (총 페이지: 29, 크기: 889.37 KB)
PDFCY7C12501KV18-450BZXC 데이터 시트 표지
CY7C12501KV18-450BZXC 데이터 시트 페이지 2 CY7C12501KV18-450BZXC 데이터 시트 페이지 3 CY7C12501KV18-450BZXC 데이터 시트 페이지 4 CY7C12501KV18-450BZXC 데이터 시트 페이지 5 CY7C12501KV18-450BZXC 데이터 시트 페이지 6 CY7C12501KV18-450BZXC 데이터 시트 페이지 7 CY7C12501KV18-450BZXC 데이터 시트 페이지 8 CY7C12501KV18-450BZXC 데이터 시트 페이지 9 CY7C12501KV18-450BZXC 데이터 시트 페이지 10 CY7C12501KV18-450BZXC 데이터 시트 페이지 11

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CY7C12501KV18-400BZXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, DDR II+
메모리 크기36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (13x15)

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FLASH

기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

105ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-VFBGA (6x8)

MT40A2G4WE-083E:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR4

메모리 크기

8Gb (2G x 4)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.2GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (8x12)

IS61NLP25618A-200TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (256K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

GD25VE16CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

제조업체

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.1V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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