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CY7C1250V18-333BZXC

CY7C1250V18-333BZXC

참조 용

부품 번호 CY7C1250V18-333BZXC
PNEDA 부품 번호 CY7C1250V18-333BZXC
설명 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가
1 ---------- $982.0809
50 ---------- $936.0459
100 ---------- $890.0108
200 ---------- $843.9758
400 ---------- $805.6132
500 ---------- $767.2507
재고 있음 112
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1250V18-333BZXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1250V18-333BZXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1250V18-333BZXC, CY7C1250V18-333BZXC 데이터 시트 (총 페이지: 27, 크기: 642.75 KB)
PDFCY7C1250V18-333BZXC 데이터 시트 표지
CY7C1250V18-333BZXC 데이터 시트 페이지 2 CY7C1250V18-333BZXC 데이터 시트 페이지 3 CY7C1250V18-333BZXC 데이터 시트 페이지 4 CY7C1250V18-333BZXC 데이터 시트 페이지 5 CY7C1250V18-333BZXC 데이터 시트 페이지 6 CY7C1250V18-333BZXC 데이터 시트 페이지 7 CY7C1250V18-333BZXC 데이터 시트 페이지 8 CY7C1250V18-333BZXC 데이터 시트 페이지 9 CY7C1250V18-333BZXC 데이터 시트 페이지 10 CY7C1250V18-333BZXC 데이터 시트 페이지 11

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CY7C1250V18-333BZXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (15x17)

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제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

52-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

52-PLCC (19.13x19.13)

S34MS01G104BHI910

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MS-1

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-BGA (11x9)

MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

메모리 크기

2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

130-VFBGA

공급자 장치 패키지

130-VFBGA (8x9)

CY7C1415AV18-167BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

36Mb (1M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (15x17)

CY7C1069GN30-10BVXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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