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CY7C1313BV18-167BZC

CY7C1313BV18-167BZC

참조 용

부품 번호 CY7C1313BV18-167BZC
PNEDA 부품 번호 CY7C1313BV18-167BZC
설명 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,490
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1313BV18-167BZC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1313BV18-167BZC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1313BV18-167BZC, CY7C1313BV18-167BZC 데이터 시트 (총 페이지: 28, 크기: 3,727.61 KB)
PDFCY7C1315BV18-250BZC 데이터 시트 표지
CY7C1315BV18-250BZC 데이터 시트 페이지 2 CY7C1315BV18-250BZC 데이터 시트 페이지 3 CY7C1315BV18-250BZC 데이터 시트 페이지 4 CY7C1315BV18-250BZC 데이터 시트 페이지 5 CY7C1315BV18-250BZC 데이터 시트 페이지 6 CY7C1315BV18-250BZC 데이터 시트 페이지 7 CY7C1315BV18-250BZC 데이터 시트 페이지 8 CY7C1315BV18-250BZC 데이터 시트 페이지 9 CY7C1315BV18-250BZC 데이터 시트 페이지 10 CY7C1315BV18-250BZC 데이터 시트 페이지 11

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CY7C1313BV18-167BZC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, QDR II
메모리 크기18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (13x15)

관심을 가질만한 제품

CY7C1614KV18-300BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

144Mb (4M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

300MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (15x17)

IS49NLC36160-33BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (16M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

300MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

144-TFBGA

공급자 장치 패키지

144-FCBGA (11x18.5)

W632GG6MB-07

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-VFBGA

공급자 장치 패키지

96-VFBGA (7.5x13)

R1WV6416RSA-7SR#B0

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM

메모리 크기

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

MT29F8G08ADBDAH4-IT:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

8Gb (1G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-VFBGA (9x11)

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