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CY7C1318CV18-167BZC

CY7C1318CV18-167BZC

참조 용

부품 번호 CY7C1318CV18-167BZC
PNEDA 부품 번호 CY7C1318CV18-167BZC
설명 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,256
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 16 - 4월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1318CV18-167BZC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1318CV18-167BZC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1318CV18-167BZC, CY7C1318CV18-167BZC 데이터 시트 (총 페이지: 29, 크기: 1,228.93 KB)
PDFCY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 표지
CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 2 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 3 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 4 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 5 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 6 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 7 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 8 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 9 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 10 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 11

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CY7C1318CV18-167BZC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (13x15)

관심을 가질만한 제품

IDT71V65602S133PF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

93C76-E/P

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8, 512 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

U6264BS2K07LLG1

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOP

SST26VF064BT-104V/MN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST26 SQI®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

1.5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WDFN (6x8)

IS43R16320F-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP II

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