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CY7C1318CV18-250BZXC

CY7C1318CV18-250BZXC

참조 용

부품 번호 CY7C1318CV18-250BZXC
PNEDA 부품 번호 CY7C1318CV18-250BZXC
설명 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가
1 ---------- $326.5306
50 ---------- $311.2244
100 ---------- $295.9183
200 ---------- $280.6122
400 ---------- $267.8571
500 ---------- $255.1020
재고 있음 61
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CY7C1318CV18-250BZXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1318CV18-250BZXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1318CV18-250BZXC, CY7C1318CV18-250BZXC 데이터 시트 (총 페이지: 29, 크기: 1,228.93 KB)
PDFCY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 표지
CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 2 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 3 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 4 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 5 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 6 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 7 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 8 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 9 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 10 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 11

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CY7C1318CV18-250BZXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (13x15)

관심을 가질만한 제품

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-TFBGA (6.4x10.1)

M48Z128Y-70PM1

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

32-DIP Module (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

32-PMDIP Module

CY62157ESL-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.2V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

S98WS512N0GFW0050

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

AS6C8016-55TIN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

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