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CY7C1318CV18-250BZXC

CY7C1318CV18-250BZXC

참조 용

부품 번호 CY7C1318CV18-250BZXC
PNEDA 부품 번호 CY7C1318CV18-250BZXC
설명 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가
1 ---------- $326.5306
50 ---------- $311.2244
100 ---------- $295.9183
200 ---------- $280.6122
400 ---------- $267.8571
500 ---------- $255.1020
재고 있음 61
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CY7C1318CV18-250BZXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1318CV18-250BZXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1318CV18-250BZXC, CY7C1318CV18-250BZXC 데이터 시트 (총 페이지: 29, 크기: 1,228.93 KB)
PDFCY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 표지
CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 2 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 3 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 4 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 5 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 6 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 7 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 8 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 9 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 10 CY7C1318CV18-250BZI 데이터 시트 페이지 11

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CY7C1318CV18-250BZXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (13x15)

관심을 가질만한 제품

70V38L15PFG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

1.125Mb (64K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

AT49BV040-12TC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

120ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP

AS6C8016-55TIN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

IS42S16160D-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

IS45S16100E-7BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-TFBGA (6.4x10.1)

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TR3C107K010C0100

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MC33990D

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BFG591,115

BFG591,115

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ADA4096-2ARMZ

ADA4096-2ARMZ

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403C35E12M00000

403C35E12M00000

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NFE31PT220R1E9L

NFE31PT220R1E9L

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CS51414EDR8G

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AD7305BRZ

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FMMT718TA

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