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CY7C1368S-166AXC

CY7C1368S-166AXC

참조 용

부품 번호 CY7C1368S-166AXC
PNEDA 부품 번호 CY7C1368S-166AXC
설명 IC SRAM 8M PARALLEL 100TQFP
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,172
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1368S-166AXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1368S-166AXC
분류반도체메모리 IC기억

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CY7C1368S-166AXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기8Mb (256K x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간3.5ns
전압-공급3.135V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스100-LQFP
공급자 장치 패키지100-TQFP (14x14)

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

400ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-FBGA (8x12.5)

AT27C040-90PC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

32-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

32-PDIP

AT25DF512C-MAHNGU-T

Adesto Technologies

제조업체

Adesto Technologies

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8µs, 3.5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-UDFN (2x3)

NM93C56M

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (128 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

S29GL128P11TFIV13

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128M (16M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

110ns

접근 시간

110ns

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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