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CY7C136A-55JXI

CY7C136A-55JXI

참조 용

부품 번호 CY7C136A-55JXI
PNEDA 부품 번호 CY7C136A-55JXI
설명 IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,878
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 9월 23 - 9월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C136A-55JXI 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C136A-55JXI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C136A-55JXI, CY7C136A-55JXI 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 358.32 KB)
PDFCY7C136A-55NXIT 데이터 시트 표지
CY7C136A-55NXIT 데이터 시트 페이지 2 CY7C136A-55NXIT 데이터 시트 페이지 3 CY7C136A-55NXIT 데이터 시트 페이지 4 CY7C136A-55NXIT 데이터 시트 페이지 5 CY7C136A-55NXIT 데이터 시트 페이지 6 CY7C136A-55NXIT 데이터 시트 페이지 7 CY7C136A-55NXIT 데이터 시트 페이지 8 CY7C136A-55NXIT 데이터 시트 페이지 9 CY7C136A-55NXIT 데이터 시트 페이지 10 CY7C136A-55NXIT 데이터 시트 페이지 11

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CY7C136A-55JXI 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지55ns
접근 시간55ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스52-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지52-PLCC (19.13x19.13)

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Microchip Technology

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

MT41J256M16RE-15E IT:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

4Gb (256M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

13.5ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (10x14)

AT25XE041B-MHNHR-T

Adesto Technologies

제조업체

Adesto Technologies

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

85MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8µs, 2.75ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-UDFN (5x6)

25AA010AT-I/MS

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

8Gb (1G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

13.75ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (9x13.2)

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