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CY7C1393BV18-167BZC

CY7C1393BV18-167BZC

참조 용

부품 번호 CY7C1393BV18-167BZC
PNEDA 부품 번호 CY7C1393BV18-167BZC
설명 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,742
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1393BV18-167BZC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1393BV18-167BZC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1393BV18-167BZC, CY7C1393BV18-167BZC 데이터 시트 (총 페이지: 31, 크기: 693.33 KB)
PDFCY7C1393BV18-278BZC 데이터 시트 표지
CY7C1393BV18-278BZC 데이터 시트 페이지 2 CY7C1393BV18-278BZC 데이터 시트 페이지 3 CY7C1393BV18-278BZC 데이터 시트 페이지 4 CY7C1393BV18-278BZC 데이터 시트 페이지 5 CY7C1393BV18-278BZC 데이터 시트 페이지 6 CY7C1393BV18-278BZC 데이터 시트 페이지 7 CY7C1393BV18-278BZC 데이터 시트 페이지 8 CY7C1393BV18-278BZC 데이터 시트 페이지 9 CY7C1393BV18-278BZC 데이터 시트 페이지 10 CY7C1393BV18-278BZC 데이터 시트 페이지 11

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CY7C1393BV18-167BZC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (13x15)

관심을 가질만한 제품

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

e•MMC™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

128Gb (16G x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

153-TFBGA

공급자 장치 패키지

153-TFBGA (11.5x13)

7025L15JG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

128Kb (8K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

84-PLCC (29.31x29.31)

CAV25160VE-GT3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

AT28HC256F-12TA

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

120ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

28-TSOP

70V35L20PFGI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

144Kb (8K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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