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CY7C1399BN-15VXC

CY7C1399BN-15VXC

참조 용

부품 번호 CY7C1399BN-15VXC
PNEDA 부품 번호 CY7C1399BN-15VXC
설명 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,092
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1399BN-15VXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1399BN-15VXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1399BN-15VXC, CY7C1399BN-15VXC 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 309.69 KB)
PDFCY7C1399BNL-15ZXCT 데이터 시트 표지
CY7C1399BNL-15ZXCT 데이터 시트 페이지 2 CY7C1399BNL-15ZXCT 데이터 시트 페이지 3 CY7C1399BNL-15ZXCT 데이터 시트 페이지 4 CY7C1399BNL-15ZXCT 데이터 시트 페이지 5 CY7C1399BNL-15ZXCT 데이터 시트 페이지 6 CY7C1399BNL-15ZXCT 데이터 시트 페이지 7 CY7C1399BNL-15ZXCT 데이터 시트 페이지 8

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CY7C1399BN-15VXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간15ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지28-SOJ

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시리즈

-

메모리 유형

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메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

24-SOIC

AS4C128M8D3-12BANTR

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (8x10.5)

M25P40-VMP6G

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

50MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ms, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-VDFPN (6x5) (MLP8)

M28W160ECT70ZB6U TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

46-TFBGA

공급자 장치 패키지

46-TFBGA (6.39x6.37)

CY14B108N-ZSP25XIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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