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CY7C1412AV18-167BZC

CY7C1412AV18-167BZC

참조 용

부품 번호 CY7C1412AV18-167BZC
PNEDA 부품 번호 CY7C1412AV18-167BZC
설명 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가
1 ---------- $721.8868
50 ---------- $688.0484
100 ---------- $654.2100
200 ---------- $620.3715
400 ---------- $592.1728
500 ---------- $563.9741
재고 있음 7,985
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CY7C1412AV18-167BZC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1412AV18-167BZC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1412AV18-167BZC, CY7C1412AV18-167BZC 데이터 시트 (총 페이지: 25, 크기: 481.08 KB)
PDFCY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 표지
CY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 페이지 2 CY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 페이지 3 CY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 페이지 4 CY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 페이지 5 CY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 페이지 6 CY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 페이지 7 CY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 페이지 8 CY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 페이지 9 CY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 페이지 10 CY7C1425AV18-200BZC 데이터 시트 페이지 11

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CY7C1412AV18-167BZC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, QDR II
메모리 크기36Mb (2M x 18)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (15x17)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

33MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

250ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-20°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (11.35x13.89)

MT41K64M16TW-107 XIT:J

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (8x14)

IS41LV16100B-50KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM - EDO

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

25ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

42-SOJ

S29PL127J65BAI000

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

PL-J

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

65ns

접근 시간

65ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

80-VFBGA

공급자 장치 패키지

80-FBGA (8x11)

AT24CM01-SSHD-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

550ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-SOIC

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