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CY7C1423JV18-250BZXC

CY7C1423JV18-250BZXC

참조 용

부품 번호 CY7C1423JV18-250BZXC
PNEDA 부품 번호 CY7C1423JV18-250BZXC
설명 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,178
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 4 - 5월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1423JV18-250BZXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1423JV18-250BZXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1423JV18-250BZXC, CY7C1423JV18-250BZXC 데이터 시트 (총 페이지: 27, 크기: 838.02 KB)
PDFCY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 표지
CY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 페이지 2 CY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 페이지 3 CY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 페이지 4 CY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 페이지 5 CY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 페이지 6 CY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 페이지 7 CY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 페이지 8 CY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 페이지 9 CY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 페이지 10 CY7C1423JV18-267BZXCT 데이터 시트 페이지 11

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CY7C1423JV18-250BZXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기36Mb (2M x 18)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (15x17)

관심을 가질만한 제품

M24C01-WDW6TP

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

W972GG8KB25I

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

400ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-WBGA (8x12.5)

MT46V16M8P-6T:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP

AT29C040A-12TC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

120ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP

BR24T02FVM-WGTR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.6V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

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