CY7C1514V18-200BZXI
참조 용
| 부품 번호 | CY7C1514V18-200BZXI |
| PNEDA 부품 번호 | CY7C1514V18-200BZXI |
| 설명 | IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA |
| 제조업체 | Cypress Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,902 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 25 - 3월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CY7C1514V18-200BZXI 리소스
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CY7C1514V18-200BZXI 사양
| 제조업체 | Cypress Semiconductor Corp |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | SRAM |
| 기술 | SRAM - Synchronous, QDR II |
| 메모리 크기 | 72Mb (2M x 36) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | 200MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | - |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | 1.7V ~ 1.9V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 165-LBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 165-FBGA (15x17) |
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제조업체 IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 12ns 접근 시간 12ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 44-TSOP II |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 512Kb (64K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 120ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지 32-TSOP |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 PSRAM 기술 PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 55ns 접근 시간 55ns 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 48-TFBGA 공급자 장치 패키지 48-TFBGA (6x8) |
