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CY7C1515JV18-300BZI

CY7C1515JV18-300BZI

참조 용

부품 번호 CY7C1515JV18-300BZI
PNEDA 부품 번호 CY7C1515JV18-300BZI
설명 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,052
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 13 - 3월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1515JV18-300BZI 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1515JV18-300BZI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1515JV18-300BZI, CY7C1515JV18-300BZI 데이터 시트 (총 페이지: 24, 크기: 1,112.19 KB)
PDFCY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 표지
CY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 페이지 2 CY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 페이지 3 CY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 페이지 4 CY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 페이지 5 CY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 페이지 6 CY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 페이지 7 CY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 페이지 8 CY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 페이지 9 CY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 페이지 10 CY7C1515JV18-167BZI 데이터 시트 페이지 11

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CY7C1515JV18-300BZI 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, QDR II
메모리 크기72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (15x17)

관심을 가질만한 제품

AT28HC64B-70TI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

28-TSOP

AT49BV512-12TC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

30µs

접근 시간

120ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP

AT49BV002ANT-70TI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP

S29GL032N90FFI010

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-N

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (13x11)

M29F040B90K6

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

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