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CY7C1520JV18-300BZXC

CY7C1520JV18-300BZXC

참조 용

부품 번호 CY7C1520JV18-300BZXC
PNEDA 부품 번호 CY7C1520JV18-300BZXC
설명 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가
1 ---------- $1,550.0710
50 ---------- $1,477.4115
100 ---------- $1,404.7519
200 ---------- $1,332.0923
400 ---------- $1,271.5427
500 ---------- $1,210.9930
재고 있음 186
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1520JV18-300BZXC 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1520JV18-300BZXC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1520JV18-300BZXC, CY7C1520JV18-300BZXC 데이터 시트 (총 페이지: 23, 크기: 1,089.12 KB)
PDFCY7C1518JV18-300BZXC 데이터 시트 표지
CY7C1518JV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 2 CY7C1518JV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 3 CY7C1518JV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 4 CY7C1518JV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 5 CY7C1518JV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 6 CY7C1518JV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 7 CY7C1518JV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 8 CY7C1518JV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 9 CY7C1518JV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 10 CY7C1518JV18-300BZXC 데이터 시트 페이지 11

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CY7C1520JV18-300BZXC 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Synchronous, DDR II
메모리 크기72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스165-LBGA
공급자 장치 패키지165-FBGA (15x17)

관심을 가질만한 제품

STK14D88-NF25TR

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

32-SOIC

70V9099L7PFI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

93C46CT-I/ST

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

93LC66BXT-E/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (256 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

AT29C010A-90PI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

32-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

32-PDIP

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MPZ1608S221ATA00

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LTC3854EMSE#PBF

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4TPE100MZB

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IS61WV25616BLL-10TLI

IS61WV25616BLL-10TLI

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

SML-LX0603GW-TR

SML-LX0603GW-TR

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