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CY7C199CN-12VXIT

CY7C199CN-12VXIT

참조 용

부품 번호 CY7C199CN-12VXIT
PNEDA 부품 번호 CY7C199CN-12VXIT
설명 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C199CN-12VXIT 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C199CN-12VXIT
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C199CN-12VXIT, CY7C199CN-12VXIT 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 583.7 KB)
PDFCY7C199CN-12VXAT 데이터 시트 표지
CY7C199CN-12VXAT 데이터 시트 페이지 2 CY7C199CN-12VXAT 데이터 시트 페이지 3 CY7C199CN-12VXAT 데이터 시트 페이지 4 CY7C199CN-12VXAT 데이터 시트 페이지 5 CY7C199CN-12VXAT 데이터 시트 페이지 6 CY7C199CN-12VXAT 데이터 시트 페이지 7 CY7C199CN-12VXAT 데이터 시트 페이지 8 CY7C199CN-12VXAT 데이터 시트 페이지 9 CY7C199CN-12VXAT 데이터 시트 페이지 10 CY7C199CN-12VXAT 데이터 시트 페이지 11

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CY7C199CN-12VXIT 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지12ns
접근 시간12ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
공급자 장치 패키지28-SOJ

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

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SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

CY7C1313CV18-200BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

N25Q128A11EF740E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (32M x 4)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8ms, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-VDFPN (6x5) (MLP8)

24LC02B-E/ST

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

S34ML01G100TFI503

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

ML-1

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

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