CYD18S18V18-200BBAXI
참조 용
부품 번호 | CYD18S18V18-200BBAXI |
PNEDA 부품 번호 | CYD18S18V18-200BBAXI |
설명 | IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA |
제조업체 | Cypress Semiconductor |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 7,938 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CYD18S18V18-200BBAXI 리소스
브랜드 | Cypress Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | CYD18S18V18-200BBAXI |
분류 | 반도체 › 메모리 IC › 기억 |
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CYD18S18V18-200BBAXI 사양
제조업체 | Cypress Semiconductor Corp |
시리즈 | - |
메모리 유형 | Volatile |
메모리 포맷 | SRAM |
기술 | SRAM - Dual Port, Synchronous |
메모리 크기 | 18Mb (1M x 18) |
메모리 인터페이스 | Parallel |
시계 주파수 | 200MHz |
쓰기주기 시간-단어, 페이지 | - |
접근 시간 | 3.3ns |
전압-공급 | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
장착 유형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 256-LBGA |
공급자 장치 패키지 | 256-FBGA (17x17) |
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