CYDD09S36V18-200BBXC
참조 용
| 부품 번호 | CYDD09S36V18-200BBXC |
| PNEDA 부품 번호 | CYDD09S36V18-200BBXC |
| 설명 | IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA |
| 제조업체 | Cypress Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,628 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 8 - 2월 13 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CYDD09S36V18-200BBXC 리소스
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CYDD09S36V18-200BBXC 사양
| 제조업체 | Cypress Semiconductor Corp |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | SRAM |
| 기술 | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| 메모리 크기 | 9Mb (128K x 36 x 2) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | 200MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | - |
| 접근 시간 | 500ps |
| 전압-공급 | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 256-LBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 256-FBGA (17x17) |
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