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CZRNC55C2V0-G

CZRNC55C2V0-G

참조 용

부품 번호 CZRNC55C2V0-G
PNEDA 부품 번호 CZRNC55C2V0-G
설명 DIODE ZENER 30V 500MW 1206
제조업체 Comchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 8,856
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예상 배송 4월 11 - 4월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CZRNC55C2V0-G 리소스

브랜드 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CZRNC55C2V0-G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
CZRNC55C2V0-G, CZRNC55C2V0-G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 92.79 KB)
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CZRNC55C2V0-G 사양

제조업체Comchip Technology
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)30V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)80 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 22V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 200mA
작동 온도-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스2-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지1206

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.3V

공차

±2%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

4.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

1N4737AW-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

7.5V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

4 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

1PMT5949BE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

100V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

250 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 76V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216AA

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

19V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 14.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

JANTXV1N4477US

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/406

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

25 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 26.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, A

공급자 장치 패키지

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