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CZRT55C10-G

CZRT55C10-G

참조 용

부품 번호 CZRT55C10-G
PNEDA 부품 번호 CZRT55C10-G
설명 DIODE ZENER 10V 350MW SOT23
제조업체 Comchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 2,142
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 15 - 2월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CZRT55C10-G 리소스

브랜드 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CZRT55C10-G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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CZRT55C10-G 사양

제조업체Comchip Technology
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)10V
공차±6%
전력-최대350mW
임피던스 (최대) (Zzt)20 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr200nA @ 7V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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공차

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전력-최대

350mW

임피던스 (최대) (Zzt)

60 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 25.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

1N5539BUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

30V

공차

±3%

전력-최대

150mW

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 23V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

30V

공차

±2%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 21V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

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전압-제너 (Nom) (Vz)

180V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

450 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 136.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E, Axial

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