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CZRW5225B-G

CZRW5225B-G

참조 용

부품 번호 CZRW5225B-G
PNEDA 부품 번호 CZRW5225B-G
설명 DIODE ZENER 3V 350MW SOD123
제조업체 Comchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 5,094
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 8 - 2월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CZRW5225B-G 리소스

브랜드 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CZRW5225B-G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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CZRW5225B-G 사양

제조업체Comchip Technology
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)3V
공차±5%
전력-최대350mW
임피던스 (최대) (Zzt)30 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-123
공급자 장치 패키지SOD-123

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전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

4.3V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.6 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

JAN1N5538CUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/437

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 16.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

1N4568-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

1N5241B_S00Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

22 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 8.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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