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DAP222T1

DAP222T1

참조 용

부품 번호 DAP222T1
PNEDA 부품 번호 DAP222T1
설명 DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,634
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 6 - 1월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DAP222T1 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DAP222T1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
DAP222T1, DAP222T1 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 62.93 KB)
PDFDAP202UG 데이터 시트 표지
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DAP222T1 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Anode
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)80V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)100mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 100mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)10ns
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 70V
작동 온도-접합150°C (Max)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지SC-75, SOT-416

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Infineon Technologies

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1600V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

380A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1600A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

25mA @ 1600V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

SBR20A300CT

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

SBR®

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Super Barrier

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 300V

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

VS-VSKD320-08PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

160A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 800V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

3-MAGN-A-PAK™

공급자 장치 패키지

MAGN-A-PAK®

MBRT30060

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

300A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 150A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Three Tower

공급자 장치 패키지

Three Tower

MBR600100CTR

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

300A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 300A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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