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DB2G32500L1

DB2G32500L1

참조 용

부품 번호 DB2G32500L1
PNEDA 부품 번호 DB2G32500L1
설명 DIODE SCHOTTKY 30V 1A 0402
제조업체 Panasonic Electronic Components
단가 견적 요청
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DB2G32500L1 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DB2G32500L1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
DB2G32500L1, DB2G32500L1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 355.34 KB)
PDFDB2G32500L1 데이터 시트 표지
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  • DB2G32500L1 Distributor

DB2G32500L1 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If480mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)10.3ns
전류-역방향 누설 @ Vr300µA @ 30V
커패시턴스 @ Vr, F34pF @ 10V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스0402 (1005 Metric)
공급자 장치 패키지0402 (1005 Metric)
작동 온도-접합150°C (Max)

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

480mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.8µs

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

B, Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 3A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-50°C ~ 150°C

AR3PD-M3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1.8A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

140ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

44pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

670mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

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