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DB3J315E0L

DB3J315E0L

참조 용

부품 번호 DB3J315E0L
PNEDA 부품 번호 DB3J315E0L
설명 DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SMINI3
제조업체 Panasonic Electronic Components
단가 견적 요청
재고 있음 8,100
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 23 - 3월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DB3J315E0L 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DB3J315E0L
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
DB3J315E0L, DB3J315E0L 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 471.75 KB)
PDFDB3J315E0L 데이터 시트 표지
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DB3J315E0L 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)30mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 30mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)1ns
전류-역방향 누설 @ Vr300nA @ 30V
작동 온도-접합125°C (Max)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-85
공급자 장치 패키지SMini3-F2-B

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Infineon Technologies

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다이오드 구성

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

70V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

70mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 15mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

100ps

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 50V

작동 온도-접합

150°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

2 Independent

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

160A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 80A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 100V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 40V

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

530mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

600µA @ 45V

작동 온도-접합

150°C (Max)

장착 유형

Through Hole

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GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

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-

다이오드 구성

1 Pair Series Connection

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

작동 온도-접합

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