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DDB6U180N16RRB37BOSA1

DDB6U180N16RRB37BOSA1

참조 용

부품 번호 DDB6U180N16RRB37BOSA1
PNEDA 부품 번호 DDB6U180N16RRB37BOSA1
설명 IGBT DDB6U180N16RRB37BOSA1
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,190
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DDB6U180N16RRB37BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DDB6U180N16RRB37BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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DDB6U180N16RRB37BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈*
IGBT 유형-
구성-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력-
NTC 서미스터-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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제조업체

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시리즈

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IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

135A

전력-최대

568W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

MG0675S-BN4MM

Littelfuse

제조업체

Littelfuse Inc.

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

S-3 Module

공급자 장치 패키지

S3

FZ3600R12HP4PHPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Single Switch

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

4930A

전력-최대

19000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 3.6kA

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

AG-IHMB190-2

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

640A

전력-최대

2200W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 450A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

33nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E+

공급자 장치 패키지

E+

APTGT300DU60G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Dual, Common Source

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

430A

전력-최대

1150W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

24nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SP6

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