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DDTA142JU-7

DDTA142JU-7

참조 용

부품 번호 DDTA142JU-7
PNEDA 부품 번호 DDTA142JU-7
설명 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 4,518
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DDTA142JU-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DDTA142JU-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
DDTA142JU-7, DDTA142JU-7 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 109.72 KB)
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DDTA142JU-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)470 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2)10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce56 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환200MHz
전력-최대200mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SOT-323

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ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

230MHz

전력-최대

280mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-XDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

200MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

RN2114(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

1 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

200MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

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저항-베이스 (R1)

10 kOhms

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

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