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DDTC115TUA-7-F

DDTC115TUA-7-F

참조 용

부품 번호 DDTC115TUA-7-F
PNEDA 부품 번호 DDTC115TUA-7-F
설명 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 8,550
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DDTC115TUA-7-F 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DDTC115TUA-7-F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
DDTC115TUA-7-F, DDTC115TUA-7-F 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 124.41 KB)
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  • DDTC115TUA-7-F Distributor

DDTC115TUA-7-F 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA (ICBO)
주파수-전환250MHz
전력-최대200mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SOT-323

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시리즈

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

1 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

33 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SC-72 Formed Leads

공급자 장치 패키지

SPT

DDTD114TU-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

주파수-전환

200MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

100 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

100 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

202mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SC-70-3 (SOT323)

NSB9435T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

125 @ 800mA, 1V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

550mV @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

110MHz

전력-최대

720mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

1 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 100mA, 1V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

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