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DF11MR12W1M1B11BPSA1

DF11MR12W1M1B11BPSA1

참조 용

부품 번호 DF11MR12W1M1B11BPSA1
PNEDA 부품 번호 DF11MR12W1M1B11BPSA1
설명 MOSFET MOD 1200V 50A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,542
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DF11MR12W1M1B11BPSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DF11MR12W1M1B11BPSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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DF11MR12W1M1B11BPSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈CoolSiC™+
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss)1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)50A (Tj)
Rds On (최대) @ Id, Vgs22.5mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (최대) @ Id5.55V @ 20mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs124nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3680pF @ 800V
전력-최대20mW
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지AG-EASY1BM-2

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드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

770pF @ 10V

전력-최대

5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

15-SIP Exposed Tab, Formed Leads

공급자 장치 패키지

15-ZIP

TT8M2TR

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V, 20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

180pF @ 10V

전력-최대

1.25W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-TSST

FDMS001N025DSD

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.2A, 32A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1143pF @ 25V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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HUF76407DK8T

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

UltraFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

330pF @ 25V

전력-최대

2.5W

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