DF11MR12W1M1B11BPSA1
참조 용
| 부품 번호 | DF11MR12W1M1B11BPSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | DF11MR12W1M1B11BPSA1 |
| 설명 | MOSFET MOD 1200V 50A |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,542 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 15 - 2월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DF11MR12W1M1B11BPSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DF11MR12W1M1B11BPSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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DF11MR12W1M1B11BPSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | CoolSiC™+ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 50A (Tj) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5.55V @ 20mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 124nC @ 15V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3680pF @ 800V |
| 전력-최대 | 20mW |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| 공급자 장치 패키지 | AG-EASY1BM-2 |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 500pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
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