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DF200R12PT4B6BOSA1

DF200R12PT4B6BOSA1

참조 용

부품 번호 DF200R12PT4B6BOSA1
PNEDA 부품 번호 DF200R12PT4B6BOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 1200V 200A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 17 - 2월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DF200R12PT4B6BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DF200R12PT4B6BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
DF200R12PT4B6BOSA1, DF200R12PT4B6BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 833.22 KB)
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DF200R12PT4B6BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)300A
전력-최대1100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대)15µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce12.5nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전력-최대

500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 70A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter with Brake

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전력-최대

80W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

600µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.7nF @ 25V

입력

Single Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

MiniPack2

공급자 장치 패키지

MiniPack2

FMG1G100US60L

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

400W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10.84nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

7PM-GA

공급자 장치 패키지

7PM-GA

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Level Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

935W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

18.4nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

DF80R12W2H3_B11

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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