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DGD1503S8-13

DGD1503S8-13

참조 용

부품 번호 DGD1503S8-13
PNEDA 부품 번호 DGD1503S8-13
설명 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 19,164
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DGD1503S8-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DGD1503S8-13
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
DGD1503S8-13, DGD1503S8-13 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 752.42 KB)
PDFDGD1503S8-13 데이터 시트 표지
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  • DGD1503S8-13 Distributor

DGD1503S8-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급10V ~ 20V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)290mA, 600mA
입력 유형Inverting, Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)250V
상승 / 하강 시간 (일반)70ns, 35ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

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채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

2V, 4.25V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-TDFN-EP (3x3)

ZXGD3110N8TC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

구동 구성

-

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 12V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

5A, 5A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

42ns, 42ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

MC34152DR2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

6.1V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

36ns, 32ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IX6R11P7

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

6V, 9.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 17ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

14-DIP

EL7457CU-T13

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

13.5ns, 13ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SSOP (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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