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DGD2103S8-13

DGD2103S8-13

참조 용

부품 번호 DGD2103S8-13
PNEDA 부품 번호 DGD2103S8-13
설명 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DGD2103S8-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DGD2103S8-13
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
DGD2103S8-13, DGD2103S8-13 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 920.25 KB)
PDFDGD2103S8-13 데이터 시트 표지
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  • DGD2103S8-13 Distributor

DGD2103S8-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급10V ~ 20V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)290mA, 600mA
입력 유형Inverting, Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)600V
상승 / 하강 시간 (일반)100ns, 35ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

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드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

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IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOIC

UCC27211DDAR

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 17V

논리 전압-VIL, VIH

1.3V, 2.8V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

120V

상승 / 하강 시간 (일반)

7.2ns, 5.5ns

작동 온도

-40°C ~ 140°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO PowerPad

HIP6602BCB

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

15V

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

EL7457CUZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

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작동 온도

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장착 유형

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