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DHG10I1200PM

DHG10I1200PM

참조 용

부품 번호 DHG10I1200PM
PNEDA 부품 번호 DHG10I1200PM
설명 DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 7,038
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DHG10I1200PM 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DHG10I1200PM
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
DHG10I1200PM, DHG10I1200PM 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 161.7 KB)
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DHG10I1200PM 사양

제조업체IXYS
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1200V
전류-평균 정류 (Io)10A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2.69V @ 10A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)75ns
전류-역방향 누설 @ Vr15µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
공급자 장치 패키지TO-220FPAC
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Diodes Incorporated

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

530mV @ 8A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

580µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerDI™ 5

공급자 장치 패키지

PowerDI™ 5

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

S5G V6G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

S40KR

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 40A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AB (DO-5)

작동 온도-접합

-65°C ~ 190°C

S1KHE3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.8µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

12pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

D850N36TXPSA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

3600V

전류-평균 정류 (Io)

850A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.28V @ 850A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 3600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AB, B-PUK

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-

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