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DMC1030UFDBQ-13

DMC1030UFDBQ-13

참조 용

부품 번호 DMC1030UFDBQ-13
PNEDA 부품 번호 DMC1030UFDBQ-13
설명 MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020
제조업체 Diodes Incorporated
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DMC1030UFDBQ-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMC1030UFDBQ-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMC1030UFDBQ-13, DMC1030UFDBQ-13 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 558.51 KB)
PDFDMC1030UFDBQ-13 데이터 시트 표지
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  • DMC1030UFDBQ-13 Distributor

DMC1030UFDBQ-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N and P-Channel Complementary
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs23.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1003pF @ 6V
전력-최대1.36W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지U-DFN2020-6 (Type B)

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

458pF @ 15V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type B)

AOD606

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel, Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

404pF @ 20V

전력-최대

1.6W, 1.7W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

공급자 장치 패키지

TO-252-4L

VEC2315-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

137mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

420pF @ 20V

전력-최대

1W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-VEC

BSM120D12P2C005

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 22mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14000pF @ 10V

전력-최대

780W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

DMHT6016LFJ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

4 N-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14.8A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

864pF @ 30V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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