DMC2025UFDB-7
참조 용
| 부품 번호 | DMC2025UFDB-7 |
| PNEDA 부품 번호 | DMC2025UFDB-7 |
| 설명 | MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,856 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 13 - 4월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DMC2025UFDB-7 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMC2025UFDB-7 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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DMC2025UFDB-7 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel Complementary |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A (Ta), 3.5A (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 486pF @ 10V, 642pF @ 10V |
| 전력-최대 | 700mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-UDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | U-DFN2020-6 (Type B) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 23nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1340pF @ 15V 전력-최대 1.2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 64mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 470pF @ 25V 전력-최대 4W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs 22mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1755pF @ 25V 전력-최대 60W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 PG-TDSON-8-4 |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 16mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1390pF @ 10V 전력-최대 1.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.6W 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
