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DMC25D0UVT-13

DMC25D0UVT-13

참조 용

부품 번호 DMC25D0UVT-13
PNEDA 부품 번호 DMC25D0UVT-13
설명 MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26
제조업체 Diodes Incorporated
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재고 있음 8,892
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMC25D0UVT-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMC25D0UVT-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMC25D0UVT-13, DMC25D0UVT-13 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 461.01 KB)
PDFDMC25D0UVT-13 데이터 시트 표지
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  • DMC25D0UVT-13 Distributor

DMC25D0UVT-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)25V, 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)400mA, 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.7nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds26.2pF @ 10V
전력-최대1.2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지TSOT-26

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1230pF @ 10V

전력-최대

620mW

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-TDFN (2x2)

APTC60HM35T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

72A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 5.4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

518nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14000pF @ 25V

전력-최대

416W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

ALD111933MAL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

EPAD®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5.9V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.35V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

LN60A01ES-LF

Monolithic Power Systems Inc.

제조업체

Monolithic Power Systems Inc.

시리즈

-

FET 유형

3 N-Channel, Common Gate

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190Ohm @ 10mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-20°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

FDS8958B_G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.4A, 4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 6.4A, 10V, 51mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

540pF @ 15V, 760pF @ 15V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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