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DMC2700UDMQ-7

DMC2700UDMQ-7

참조 용

부품 번호 DMC2700UDMQ-7
PNEDA 부품 번호 DMC2700UDMQ-7
설명 MOSFET BVDSS: 8V24V SOT26 T&R 3
제조업체 Diodes Incorporated
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DMC2700UDMQ-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMC2700UDMQ-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMC2700UDMQ-7, DMC2700UDMQ-7 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 479.61 KB)
PDFDMC2700UDMQ-7 데이터 시트 표지
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  • DMC2700UDMQ-7 Distributor

DMC2700UDMQ-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N and P-Channel Complementary
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.34A (Ta), 1.14A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.74nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds60.67pF @ 16V, 59.76pF @ 16V
전력-최대1.12W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6
공급자 장치 패키지SOT-26

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제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

10mV @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SOIC

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

478.9pF @ 16V

전력-최대

1.42W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

EFC4630R-TR

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

24V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.6W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFBGA

공급자 장치 패키지

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ZXMN10A08DN8TC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

405pF @ 50V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 20V

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